3nm GAA

Samsungの3nmプロセスは、Gate-All-Around（GAA）トランジスタアーキテクチャを採用したMulti-Bridge-ChannelFET（MBCFET）を製造します。FinFETからのアップグレードによって、電圧を下げることができ電力効率が向上する他、駆動電流能力を高めることでパフォーマンスも向上するとしています。

同社の独自技術であるチャネル幅の広いナノシートを利用することで、チャネル幅の狭いナノワイヤーを利用する他社のGAAに比べてより高性能で高効率を可能にするほか、このナノシートのチャネル幅をスケールすることによって顧客のニーズに合わせた消費電力や性能に最適化できるとしています。

このMBCFETを採用するSamsung 3nmプロセスの第1世代では、5nmと比較して消費電力を最大45％削減し、性能は23%向上、面積を16％削減するとしています。また、第2世代3nmについも語られており、こちらでは消費電力を50％、性能を30％向上、面積を35%向上させることができるとしています。